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压敏电阻的物理特性：
ＺｎＯ 压敏电阻的非线性是一种晶粒边界现象，即在相 邻晶粒耗尽层中存在多数电荷载流子（电子）的势垒。认 为肖特基势垒像 ＺｎＯ 微结构中晶粒边界势垒。晶粒边界 上的负表面电荷（电子捕获）是由晶界面两侧晶粒的耗尽 层的正电荷来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传 输机制。 近发展的压敏电阻势垒的晶粒边界缺陷模型在改进 稳电压应力下，压敏电阻的稳定性上取得了很大进展。
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老化的表现：
老化是指在各种外加应力及外界因素作用下，其性能及电气物理参数发生改变，逐步偏离其起始性能指标。ZnO压敏电阻器老化后的I-V特性，老化主要集中在预击穿区，而击穿区的老化较小，表现为I-V特性曲线在低电场区向右偏移，阻性电流加大，功率损耗增大，压敏电压下降。直流电压作用后的老化，I-V特性不对称；交流电压作用下的老化。另老化后电容量减小，介电损耗增大。
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